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  截至2026年4月，2英寸光通信级磷化铟衬底从2025年初的800美元/片一路飙升到2300-2500美元/片，涨幅接近2倍；6英寸高端衬底的价格更是从1400美元/片涨到5000美元/片，涨幅超过250%。

  2026年6月，全新光电官宣对磷化铟产品做涨价，普通产品涨幅为15%-20%，高端外延片涨幅更高，达到30%-40%。

  6月15日，日本JX金属官宣其产业资本预算，预计2030年前投入1200亿日元加码产能，目标将磷化铟衬底产能较2025年提升7至10倍，这也是其半导体材料业务有史以来规模最大投入。

  2026年3月，英伟达曾向Coherent投资20亿美元，并签署长期采购与产能合作协议，以锁定其6英寸磷化铟量产线新增产能。

  磷化铟（InP）是一种复合半导体材料，具备电信号与光信号双向转换能力，可被大范围的应用于制造光模块器件、传感器件、高端射频器件等。

  使用磷化铟衬造的半导体器件，拥有硅材料4倍以上的电子迁移率，具备饱和电子漂移速度高、抗辐射能力强、导热性好、光电转换效率高等特性。

  不过，磷化铟衬底生产技术壁垒较高，是当前国内光模块、光芯片产业链核心卡脖子环节。

  随着磷化铟晶体尺寸从2寸到6寸发展，原有的微小尺寸晶体生长技术没办法简单复制，必须自主研发或升级大型高压釜、大功率加热器以及高精度的温度和机械控制系统。

  当前磷化铟衬底材料市场高度集中且被国外垄断，主要厂商有住友电工、AXT、JX等，占据全球主要产能。

  云南锗业是全球第三个掌握大尺寸磷化铟制备技术的企业，填补了国内技术空白。

  云南锗业子公司鑫耀半导体已实现4英寸磷化铟衬底批量供货，6英寸产品通过下游客户验证。

  截至2025年末，云南锗业已建成年产15万片磷化铟单晶片（2-4英寸）产线万片。

  2023-2025年，公司的研发费用从3900万元增长到8000万元，研发费用率从5.8%增长到7.54%。

  同时，公司的研发人员数量在2025年达到了153人，同比增加44.34%。

  按理说，磷化铟下游需求旺盛，价格飙升，云南锗业有产能和技术优势，业绩应该得到体现。

  2026年一季度，公司实现营业收入2.89亿元，同比增长20.31%；净利润却仅为910.71万元，同比下降10.71%。

  云南锗业的主体业务是锗产品，拥有完整的锗产业链，是目前国内最大的锗系列新产品生产商和供应商。

  自2024年以来，锗价快速上涨抑制了民用领域需求，红外领域下游加快对硫系玻璃等替代材料的研发，2025年材料替代进程进一步提速，红外用锗需求呈现下降趋势。

  公司锗产品的原材料大部分来自外购，原材料涨价导致单位成本的增长大于销售价格的增长，成本传导受阻。

  2025年，该业务实现盈利收入1.38亿元，同比增长63%，占总营收比例提升至12.93%。

  从销量来看，2025年公司化合物半导体材料销量达到15.39片，同比增加41.86%。

  磷化铟业务正在成长，但体量尚不足以对冲锗主业的疲软。这就是云南锗业增收不增利的重要原因。

  2026年4月，公司正式获批实施“高品质磷化铟单晶片建设项目”，计划总投资1.89亿元，建设期为18个月。

  根据公告，该项目将在公司现在存在产能基础上改造并新增工艺设备，扩建一条年产30万片的高品质磷化铟单晶片生产线。

  项目完全建成后，云南锗业将最终达到年产45万片（折合4英寸）高品质磷化铟单晶片的总产能，有望为公司带来可观的收入增量。

  当前，磷化铟超80%的需求来自AI数据中心，随着光模块从800G向1.6T、3.2T演进，磷化铟衬底也跟着升级。

  首先，单颗800G光模块需要配备4到8颗磷化铟激光器芯片，而1.6T光模块对磷化铟衬底的需求又是800G的2.7至3倍。

  其次，1.6T光模块、CPO要用激光器阵列、探测器阵列，为了适配高速芯片面积增大与成本下降需求，磷化铟衬底尺寸要求由2英寸扩大到4-6英寸。

  据测算，预计2025年磷化铟晶圆市场规模将达到2.11亿美元，到2035年将达到6.28亿美元，复合年均增长率为11.5%。

  一来，完整衬底产线个月，包括厂房建设、设备进场、工艺磨合等环节，6英寸产线年。

  二来，制备磷化铟衬底所需要的单晶生长炉、MOCVD外延设备等核心装备被海外少数厂商垄断，高端型号交付周期已被拉长至10个月，全球订单排期已满。

  目前，磷化铟行业整体供需缺口近70%，即使现在开始扩产，也要到2027年底才能形成有效产能，没有办法解决当前紧缺局面。